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• 에지 노광, -露光, edge exposure

  웨이퍼 에지의 불량원인을 제거하기 위하여 웨이퍼 주변부의 일정 폭을 자외선으로 조사하여 제거하는 공정. 반도체 웨이퍼의 표면에 포토 레지스트를 도포하고, 노광과 현상을 반복 수행하여 패턴을 형성하며, 웨이퍼를 이동하는 과정에서 웨이퍼 에지 불량이 발생될 수 있다.